场效应管2N60 TO-220 8N65
“场效应管2N60 TO-220 8N65”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | LIDENUO |
| 类型： | 增强型MOS管(N沟道) | 材料： | N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | 用途： | MOS-INM/独立组件 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | 2N60 TO-220 |
| 规格： | TO-220 | 商标： | LIDENUO |
| 包装： | 管装 |
“场效应管2N60 TO-220 8N65”详细介绍
FQPF2N60C: N 沟道 QFET ? ? MOSFET 600V，2A，4.7Ω
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来
降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子
镇流器。
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特性：
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? 2A, 600V, R DS(on) = 4.7Ω （最大值）@V GS = 10 V, I D = 1A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
? 低 C rss （典型值4.3pF)
? 100% 经过雪崩击穿测试"
? 100% avalanche tested"
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编辑：常州立德诺科技有限公司 时间：2018/05/11