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供应场效应 4N60 塑封TO-220F

供应场效应 4N60 塑封TO-220F--点击浏览大图
“供应场效应 4N60 塑封TO-220F”参数说明
是否有现货: 品牌: LIDENUO
类型: 增强型MOS管(N沟道) 材料: GE-N-FET锗N沟道
封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 用途: L/功率放大
导电方式: 增强型 型号: 4N60
规格: TO-220F 商标: LIDENUO
包装: 50pcs管装
“供应场效应 4N60 塑封TO-220F”详细介绍

高压MOS管中低MOS管超结MOS管4N60F?4A600V

产品优点:①电压小,内阻小,温升低,散热好。②可靠性高(失效率低于100PPM) ③芯片大,可以通过FCC(辐射)测试。

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直销全系列高压场效应管,400V系列,500V系列,600V系列,700V系列,800V系列,900V系列。5N50,6N50,7N50,8N50,

9N50,10N50,11N50,12N50,13N50,14N50,15N50,16N50,17N50,18N50,20N50,21N50,22N50,28N50,1N60,2N60,3N60,

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25N60,35N60C3,47N60C3,9N70,10N70,3N80,4N80,5N80,6N80,7N80,8N80,10N80,11N80,17N80,3N90,4N90,5N90,6N90,

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直插效应管4N60 大芯片足4A电流600V电压MOS管

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编辑:常州立德诺科技有限公司  时间:2018/05/11

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