N沟道 场效应管SI2302 SOT-23-3
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | LIDENUO |
| 类型： | 增强型MOS管(N沟道) | 材料： | N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | 用途： | L/功率放大 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | SI2302 SOT-23-3 |
| 规格： | SMD | 商标： | CJ |
| 包装： | 3000/盘 |
特征VDS=20VRDS(ON)=0.085Ω@VGS=4.5V，ID=3.6ards(On)=0.115Ω@vgs=2.5v，id=绝对最高评级Ta=25℃参数符号评分单位漏源电压vds 20栅源电压VGS±8连续漏电流Ta=25℃2.1Ta=70℃1.7脉冲漏电流IDM 10功耗Ta=25℃0.7Ta=70℃0.46热阻。RthJA 178℃/W结温TJ 150℃储存温度tstg-55至150℃id局部放电v型W阿g.g斯丁2三13.1Awww.tw-gmc.com 1SI2302电学特性Ta=25℃参数符号测试条件Min Typ MAX单元漏源击穿电压VDSS VGS=0V，ID=10μA 20V门限值电压vgs(Th)vds=vgs，ID=250μA 0.62 0.951.9VDS=20 V，VGS=0 V1VDS=20 V，VGS=0 V，TJ=55℃10栅体泄漏IGSS=0V，vgs=±8V±100 nAVGS=4.5V，ID=3.6A 0.045 0.085VGS=2.5V，ID=3.1A 0.070 0.115VDS≥5V，VGS=4.5V6VDS≥5V，VGS=2.5V4正向跨导*GFS VDS=5V，ID=3.6 A8S输入电容CISS 300输出电容Coss 120反向传输电容CRSS 80门总电荷QG 4.0 10栅源电荷QGS 0.65浇口排水管费Qgd 1.5开启延迟时间TD(ON)7 15上升时间tr 55 80关闭延迟时间TD(关闭)16 60秋季TF 10 25连续源电流(二极管导通)为0.94A二极管正压VSD=0.94A，VGS=0V 0.761.2V*脉冲试验：-≤300μs占空比≤2%。μa阿Ω零栅电压漏电流IDSS状态漏电流ID(ON)数控排水---电阻源*VDD=10V，RL=5.5 ns编号3.6a，VGEN=4.5V，RG=6 UpRDS(ON)VDS=10V，VGS=0V，f=1 MHz PFVDS=10V，VGS=4.5V，ID=3.6av型n.?标记标记A2SHB